熱處理相關(guān)（1類）
在0.01Pa以下的真空狀態(tài)下，對銅（Cu）、鈷（Co）、鎢（W）（任何一種元素）進行回流（Reflow）的“退火設(shè)備（Anneal）”。
檢測設(shè)備（1類）
EUV曝光方向的光掩膜版（Mask Blanks）的檢測設(shè)備、或者“帶有線路的掩膜”的檢測設(shè)備。
曝光相關(guān)（4類）
1.用于EUV曝光的護膜（Pellicle）。
2.用于EUV曝光的護膜（Pellicle）的生產(chǎn)設(shè)備。
3.用于EUV曝光的光刻膠涂覆、顯影設(shè)備（Coater Developer）。
4.用于處理晶圓的步進重復(fù)式、步進掃描式光刻機設(shè)備（光源波長為193納米以上、且光源波長乘以0.25再除以數(shù)值孔徑得到的數(shù)值為45及以下）。（按照筆者的計算，尼康的ArF液浸式曝光設(shè)備屬于此次管控范圍，干蝕ArF以前的曝光設(shè)備不在此范圍。）
干法清洗設(shè)備、濕法清洗設(shè)備（3類）
1.在0.01Pa以下的真空狀態(tài)下，除去高分子殘渣、氧化銅膜，形成銅膜的設(shè)備。
2.在除去晶圓表面氧化膜的前道處理工序中所使用的、用于干法蝕刻（Dry Etch）的多反應(yīng)腔(Multi-chamber)設(shè)備。
3.單片式濕法清洗設(shè)備（在晶圓表面性質(zhì)改變后，進行干燥）。
蝕刻（3類）
1.屬于向性蝕刻 (Isotropic Etching)設(shè)備，且硅鍺（SiGe）和硅（Si）的選擇比為100以上的設(shè)備；屬于異向性(Anisotropic Etching)刻蝕設(shè)備，且含高頻脈沖輸出電源，以及含有切換時間不足300m秒的高速切換閥和靜電吸盤（Chuck）的設(shè)備。
2.濕法蝕刻設(shè)備，且硅鍺（SiGe）和硅（Si）的蝕刻選擇比為100以上。
3.為異向性蝕刻設(shè)備，且蝕刻介電材料的蝕刻尺寸而言，蝕刻深度與蝕刻寬度的比率大于30倍、而且蝕刻幅寬度低于100納米。含有高速脈沖輸出電源、切換時間不足300m秒的高速切換閥的設(shè)備。
成膜設(shè)備（11類）
1.如下所示的各類成膜設(shè)備。*利用電鍍形成鈷（Co）膜的設(shè)備。
利用電鍍形成鈷（Co）膜的設(shè)備。
利用自下而上（Bottom-up）成膜技術(shù)，填充鈷（Co）或者鎢（W）時，填充的金屬的空隙、或者接縫的最大尺寸為3納米以下的CVD設(shè)備。
在同一個腔體（Chamber）內(nèi)進行多道工序，形成金屬接觸層（膜）的設(shè)備、氫（或者含氫、氮、氨混合物）等離子設(shè)備、在維持晶圓溫度為100度一一500度的同時、利用有機化合物形成鎢（W）膜的設(shè)備。
可保持氣壓為0.01Pa以下真空狀態(tài)（或者惰性環(huán)境）的、含多個腔體的、可處理多個工序的成膜設(shè)備，以及下面的所有工序中所使用的金屬接觸層成膜設(shè)備：（1）在維持晶圓溫度為20度一一500度的同時，利用有機金屬化合物，形成氮化鈦層膜或者碳化鎢層膜的工藝。（2）在保持晶圓溫度低于500度的同時，在壓力為0.1333Pa一一13.33Pa的范圍內(nèi)，利用濺射工藝，形成鈷（Co）層膜的工藝。（3）在維持晶圓溫度為20度一一500度的同時，在壓力為133.3Pa一一13.33kPa的范圍內(nèi)，利用有機金屬化合物，形成鈷（Co）層膜的工藝。
利用以下所有工藝形成銅線路的設(shè)備。（1）在保持晶圓溫度為20度一一500度的同時，在壓力為133.3Pa一一13.33kPa的范圍內(nèi)，利用有機金屬化合物，形成鈷（Co）層膜、或者釕（Ru）層膜的工藝。（2）在保持晶圓溫度低于500度的同時，在壓力為0.1333Pa一一13.33Pa的范圍內(nèi)，利用PVD技術(shù)，形成銅（Cu）層膜的工藝。
利用金屬有機化合物，有選擇性地形成阻障層（Barrier）或者Liner的ALD設(shè)備。
在保持晶圓溫度低于500度的同時，為了使絕緣膜和絕緣膜之間不產(chǎn)生空隙（空隙的寬度和深度比超過五倍，且空隙寬度為40納米以下），而填充鎢（W）或者鈷（Co）的ALD設(shè)備。
2.在壓力為0.01Pa以下的真空狀態(tài)下(或者惰性環(huán)境下)，不采用阻障層（Barrier），有選擇性地生長鎢（W）或者鉬（Mo）的成膜設(shè)備。
3.在保持晶圓溫度為20度一一500度的同時，利用有機金屬化合物，形成釕（Ru）膜的設(shè)備。
4.“空間原子層沉積設(shè)備（僅限于支持與旋轉(zhuǎn)軸晶圓的設(shè)備）”，以下皆屬于限制范圍。（1）利用等離子，形成原子層膜。（2）帶等離子源。（3）具有將等離子體封閉在等離子照射區(qū)域的“等離子屏蔽體（Plasma Shield）”或相關(guān)技術(shù)手法。
5.可在400度一一650度溫度下成膜的設(shè)備，或者利用其他空間（與晶圓不在同一空間）內(nèi)產(chǎn)生的自由基(Radical)產(chǎn)生化學反應(yīng)，從而形成薄膜的設(shè)備，以下所有可形成硅（Si）或碳（C）膜的設(shè)備屬于限制出口范圍：（1）相對介電常數(shù)（Relative Permittivity）低于5.3。（2）對水平方向孔徑部分尺寸不滿70納米的線路而言，其與線路深度的比超過五倍。（3）線路的線距（Pitch）為100納米以下。
6.利用離子束（Ion Beam）蒸鍍或者物理氣相生長法(PVD)工藝，形成多層反射膜(用于極紫外集成電路制造設(shè)備的掩膜)的設(shè)備。
7．用于硅（Si）或者硅鍺（SiGe）（包括添加了碳的材料）外延生長的以下所有設(shè)備屬于管控范圍。（1）擁有多個腔體，在多個工序之間，可以保持0.01Pa以下的真空狀態(tài)（或者在水和氧的分壓低于0.01Pa的惰性環(huán)境）的設(shè)備。（2）用于半導(dǎo)體前段制程，帶有為凈化晶圓表面而設(shè)計的腔體的設(shè)備。（3）外延生長的工作溫度在685度以下的設(shè)備。
8.可利用等離子技術(shù)，形成厚度超過100納米、而且應(yīng)力低于450MPa的碳硬掩膜（Carbon Hard Mask）的設(shè)備。
9.可利用原子層沉積法或者化學氣相法，形成鎢（W）膜（僅限每立方厘米內(nèi)氟原子數(shù)量低于1019個）的設(shè)備。
10.為了不在金屬線路之間（僅限寬度不足25納米、且深度大于50納米）產(chǎn)生間隙，利用等離子形成相對介電常數(shù)（Relative Permittivity）低于3.3的低介電層膜的等離子體成膜設(shè)備。
11.在0.01Pa以下的真空狀態(tài)下工作的退火設(shè)備，通過再回流（Reflow）銅（Cu）、鈷（Co）、鎢（W），使銅線路的空隙、接縫最小化，或者使其消失。
根據(jù)研究公司TrendForce的數(shù)據(jù)，未來3年，28nm及以上制程芯片預(yù)計將占據(jù)全球晶圓代工廠產(chǎn)能的75%至80%。若擴大到45nm及以下節(jié)點，將影響幾乎所有國內(nèi)涉及SoC、FPGA、CIS、SSD主控等邏輯晶圓制造商和3D NAND存儲器制造商。
商務(wù)部：堅決反對日本半導(dǎo)體制造設(shè)備出口管制措施
對此，商務(wù)部新聞發(fā)言人表示，此舉是對出口管制措施的濫用，是對自由貿(mào)易和國際經(jīng)貿(mào)規(guī)則的嚴重背離，中方對此堅決反對。
以下為答記者問全文：
問：
5月23日，日本政府正式出臺半導(dǎo)體制造設(shè)備出口管制措施。中方對此有何評論？
答：
我們注意到，日本政府正式出臺針對23種半導(dǎo)體制造設(shè)備的出口管制措施，這是對出口管制措施的濫用，是對自由貿(mào)易和國際經(jīng)貿(mào)規(guī)則的嚴重背離，中方對此堅決反對。
在日方措施公開征求意見期間，中國產(chǎn)業(yè)界紛紛向日本政府提交評論意見，多家行業(yè)協(xié)會公開發(fā)表聲明反對日方舉措，一些日本行業(yè)團體和企業(yè)也以各種方式表達了對未來不確定性的擔憂。但令人遺憾的是，日方公布的措施未回應(yīng)業(yè)界合理訴求，將嚴重損害中日兩國企業(yè)利益，嚴重損害中日經(jīng)貿(mào)合作關(guān)系，破壞全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局，沖擊產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈安全和穩(wěn)定。
日方應(yīng)從維護國際經(jīng)貿(mào)規(guī)則及中日經(jīng)貿(mào)合作出發(fā)，立即糾正錯誤做法，避免有關(guān)舉措阻礙兩國半導(dǎo)體行業(yè)正常合作和發(fā)展，切實維護全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈穩(wěn)定。中方將保留采取措施的權(quán)利，堅決維護自身合法權(quán)益。
該文轉(zhuǎn)載自半導(dǎo)體風向標，轉(zhuǎn)載目的在于傳遞信息，并不代表我們贊同文章觀點和對其真實性負責，內(nèi)容僅供參考。
